Solární panel

Technologie Silicon Heterojunction Technology (HJT) je založena na poli emitoru a zadního povrchu (BSF), které je produkováno nízkoteplotním růstem ultratenkých vrstev amorfního křemíku (a-Si: H) na obou stranách velmi dobře vyčištěných

210mm solární článek M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) má účinnost 24,4% a jmenovitý výkon 10,76 Wattt na článek.

Technologie Silicon Heterojunction (HJT) je založena na emitoru a zadním povrchovém poli (BSF), které jsou vytvářeny nízkoteplotním růstem ultratenkých vrstev amorfního křemíku (a-Si:H) na obou stranách velmi dobře vyčištěných

Technologie TOPCON (tunnel oxide passivated contact) zvyšuje účinnost solárních článků typu N až o 25 procent. Průmyslový solární článek TOPCon o průměru 210 mm má maximální účinnost 24,4 procent a jmenovitý výkon 10,76 W.

23% účinnost 210 mm solární článek má 10,14 W jmenovitého výkonu. 132 ks polovičních 210 mm Mono PERC solárních článků může montovat solární panely s výkonem až 670 wattů.

Laser SE v kombinaci s technologií PERC činí výkon 182 mm solárních článků až 7,58 W při 23% účinnosti.72 kusů 182mm mono PERC solárních článků v kombinaci s technologií polovičního řezu může vyrobit solární panely s výkonem až 545 W.

TOPCON (tunelový oxid pasivovaný kontakt) technologie zvyšuje účinnost solárních článků typu N až o 24,5%.Monokrystalický N typ 182mm TOPCon solární článek je s jmenovitým výkonem 8,08Watt s účinností 24,5%.Dvoufázový solární panel složený

Technologie TOPCON (tunnel oxide passivated contact) v kombinaci s přístupovou vrstvou AlOx/ SiNx, vylepšená technologií PERT, zvyšuje účinnost solárních článků typu N 166 mm až o 24,4 %.Monokrystalický N typ 166mm TOPCon solární článek je

Mono bifaciální PERT typu N (pasivovaný zadní emitor zcela rozptýlený) křemíkové solární články mají vysokou a stabilizovanou účinnost přeměny. Bifaciální PERT solární článek typu N lze vyrobit s procesním tokem pomocí iontového implantátu

Křemíkové solární články typu N Mono bifacial PERT (pasivovaný emitor vzadu zcela rozptýlené) mají vysokou a stabilizovanou účinnost konverze.Křemíkové solární články typu N jsou považovány za slibné alternativy k solárním článkům typu P

Technologie PERC definuje architekturu solárních článků, která se liší od standardní architektury článků, která se používá již tři desetiletí a která je obvykle uvedena ve všech fotovoltaických příručkách. PERC je vysoko na seznamu hitů

PREC je zkratka pro Passivated Emitter a Rear Cell. Je založen na monokrystalickém křemíkovém solárním článku typu P. Technologie článků PERC definuje architekturu solárních článků, která se liší od standardní architektury článků, která se