Zdroj: medium.com
HJT je zkratka pro hetero-junction solární články. HJT, představená japonskou společností Sanyo v 80. letech, poté získaná společností Panasonic v 2010, je od doby psaní považován za potenciálního nástupce populární buňky PERCsolar, kromě dalších technologií, jako je PERTandTOPCON.
Vzhledem k menšímu počtu kroků zpracování článků HJT a mnohem nižším teplotám zpracování článků má tato architektura potenciál zjednodušit současné výrobní linky solárních článků, které jsou v současné době silně založeny na technologii PERC.
Jak je znázorněno na obrázku 1, HJT se velmi liší od populární struktury PERC. Výsledkem je, že výrobní procesy mezi těmito dvěma architekturami jsou velmi odlišné. Ve srovnání s n-PERT nebo TOPCON, které lze upgradovat ze současných linek PERC, vyžaduje HJT významné kapitálové investice do nového zařízení pro zahájení masové výroby.
Navíc, stejně jako u mnoha nových technologií, je dlouhodobá provozní / výrobní stabilita HJT stále pod kontrolou. To je způsobeno výzvami zpracování, jako je náchylnost amorfního Si k procesům vysoké teploty.
HJT demonstruje vysokou účinnost solárních článků díky vysoce kvalitnímu hydrogenovanému vnitřnímu amorfnímu Si (a-Si: H na obrázku 1), který může poskytnout působivou pasivaci defektu na přední i zadní povrch Si destiček (typu n i typu p polarita).
Použití ITO jako transparentních kontaktů také zlepšuje proudy proudu a zároveň působí antireflexní vrstvou, aby zajistilo optimální zachycení světla. Kromě toho lze ITO nanášet také rozprašováním při nízké teplotě, čímž se zabrání rekrystalizaci amorfní vrstvy, která bude mít vliv na kvalitu pasivace materiálů na sypkém povrchu Si.
Navzdory výzvám v oblasti zpracování a vysokým kapitálovým investicím je HJT stále atraktivní technologií. Tato technologie demonstruje schopnost dosáhnout &> 23% účinnosti solárních článků, ve srovnání s ~ 22%, které ukazují technologie TOPCON, PERT a PERC.
