Silikonový plátek

Substráty SiC typu P-jsou určeny pro homoepitaxiální růst a vývoj ultra-vysoko{2}}napěťových výkonových polovodičových součástek. S vynikajícími elektrickými a tepelnými charakteristikami je

Polo{0}}izolační substráty SiC nabízejí vysoký odpor a vynikající tepelné vlastnosti, díky čemuž jsou vhodné pro heteroepitaxní růst GaN a vysokofrekvenční vysokofrekvenční polovodičové aplikace.

Substráty SiC typu N- jsou navrženy pro homoepitaxiální růst v pokročilé výrobě výkonových polovodičů. Díky vynikajícímu elektrickému a tepelnému výkonu je tento-výkonný SiC substrát vhodný