4H Semi-izolační deska SiC

Polo{0}}izolační substráty SiC nabízejí vysoký odpor a vynikající tepelné vlastnosti, díky čemuž jsou vhodné pro heteroepitaxní růst GaN a vysokofrekvenční vysokofrekvenční polovodičové aplikace. Jako vysoký-výkonSiC substrátje široce používán pro zařízení založená na HEMT-v pokročilých komunikačních systémech, včetně infrastruktury 5G.

Tyto polo{0}}izolačníSiC oplatkytaké poskytují vynikající optické a materiálové vlastnosti a podporují vznikající aplikace v optoelektronice a nositelné elektronice. 12-Inchové substráty SiC nabízejí potenciál pro aplikace příští-generace, jako jsou brýle pro AR a další pokročilá optická zařízení.

 

6-palcový
Průměr	150,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientace povrchu	{0001}±0,2 stupně
Primární orientace bytu	/
Orientace sekundárního bytu	/
Primární plochá délka	Zářez
Sekundární plochá délka	Žádný
Orientace zářezu	<1100>±1,0 stupně
Hloubka zářezu	Žádný1mm+0.25mm/-0mm od okraje
Úhel zářezu	90 stupňů +5 stupně /-1 stupeň
Tloušťka	500,0 um±25,0 um
Typ	Polo-izolační

 

 

 

8 palců
Průměr	200,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientace povrchu	{0001}±0,2 stupně
Primární orientace bytu	/
Orientace sekundárního bytu	/
Primární plochá délka	Zářez
Sekundární plochá délka	Žádný
Orientace zářezu	<1100>±1,0 stupně
Hloubka zářezu	Žádný1mm+0.25mm/-0mm od okraje
Úhel zářezu	90 stupňů +5 stupně /-1 stupeň
Tloušťka	500,0 um±25,0 um
Typ	Polo-izolační

 

 

12-palcový
Průměr	300,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientace povrchu	{0001}±0,5 stupně
Primární orientace bytu	/
Orientace sekundárního bytu	/
Primární plochá délka	Zářez
Sekundární plochá délka	Žádný
Orientace zářezu	<1100>±5,0 stupně
Hloubka zářezu	Žádný1mm+0.25mm/-0mm od okraje
Úhel zářezu	90 stupňů +5 stupně /-1 stupeň
Tloušťka	750,0 um±25,0 um
Typ	Polo-izolační