Specifikace monokrystalického křemíkového křemíku typu N-typu G1

Specifikace monokrystalického křemíkového křemíku typu N-typu G1

Monokrystalický křemíkový oplatk typu N-typu N-typu G1 má design plného čtverce 158,75 × 158,75 mm, maximalizující expozici světla a účinnost modulu. Vyrobeno pomocí metody CZ s dopingem fosforu, nabízí vynikající kvalitu materiálu, nízkou hustotu dislokace (menší nebo roven 500 cm⁻²) a<100>Křišťálová orientace. S vodivostí typu N, rozsahu odporu 0,5–7 Ω · cm a životnost nosiče až do větší nebo rovné 1000 µs, je dobře vdiné pro vysoce účinné buněčné technologie, jako jsou Topcon a HJT. Jeho plně čtvercový tvar a těsné geometrické tolerance zajišťují optimální integraci a výkon modulu.
Share to
Odeslat dotaz
Chat teď
Popis
Technické parametry

CZ silicon crystal growth

 

158.75mm full square monocrystalline solar wafer

 

Monokrystalický křemíkový oplatk typu N-typu N-typu G1 má design plného čtverce 158,75 × 158,75 mm, maximalizující expozici světla a účinnost modulu. Vyrobeno pomocí metody CZ s dopingem fosforu, nabízí vynikající kvalitu materiálu, nízkou hustotu dislokace (menší nebo roven 500 cm⁻²) a<100>Křišťálová orientace. S vodivostí typu N, rozsahu odporu 0,5–7 Ω · cm a životnost nosiče až do větší nebo rovné 1000 µs, je dobře vdiné pro vysoce účinné buněčné technologie, jako jsou Topcon a HJT. Jeho plně čtvercový tvar a těsné geometrické tolerance zajišťují optimální integraci a výkon modulu.

 

 

1. vlastnosti materiálu

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Metoda růstu

Cz

 

Krystalinita

Monokrystalický

Preferenční techniky leptání(ASTM F47-88)

Typ vodivosti

Typ n

NAPSON EC-80TPN

Dopant

Fosfor

-

Koncentrace kyslíku [oi]

Menší nebo rovné8E +17 AT/CM3

FTIR (ASTM F121-83)

Koncentrace uhlíku [CS]

Menší nebo rovné5e +16 AT/CM3

FTIR (ASTM F123-91)

Hustota leptání jámy (hustota dislokace)

Menší nebo rovné500 cm-2

Preferenční techniky leptání(ASTM F47-88)

Povrchová orientace

<100>± 3 stupeň

Rentgenová difrakční metoda (ASTM F26-1987)

Orientace pseudo čtvercových stran

<010>,<001>± 3 stupeň

Rentgenová difrakční metoda (ASTM F26-1987)

 

2. Elektrické vlastnosti

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Odpor

1,0-7,0 Ω.cm

Systém kontroly oplatky

MCLT (Menšinový dopravce Lifetime)

Větší nebo rovna 1000 µs (odpor > 1,0ohm.cm)
Větší nebo rovna 500 µs (odpor < 1,0ohm.cm)
Sinton BCT-400
Qsspc/přechodné
(s úrovní injekce: 1e15 cm -3)

 

3.Geometrie

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Geometrie

Pseudo Square

 
Tvar zkosení
kolo  

Délka strany oplatky

182 ± 0,25 mm

Systém kontroly oplatky

Průměr oplatky

φ247 ± 0,25 mm

Systém kontroly oplatky

Úhel mezi sousedními stranami

90 stupňů ± 0,2 stupňů

Systém kontroly oplatky

Tloušťka

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
Systém kontroly oplatky

TTV (celková změna tloušťky)

Menší nebo rovné 27 µm

Systém kontroly oplatky

 

image 29

 

4.Vlastnosti povrchu

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Metoda řezání

DW

--

Kvalita povrchu

Jak je řezané a vyčištěné, žádná viditelná kontaminace (olej nebo mastnota, otisky prstů, skvrny mýdla, skvrny z kaše, epoxidové/lepidlové skvrny nejsou povoleny)

Systém kontroly oplatky

SEKLA ZNAČKY / STESTY

Méně nebo rovné 15 um

Systém kontroly oplatky

Luk

Méně nebo rovné 40 µm

Systém kontroly oplatky

Warp

Méně nebo rovné 40 µm

Systém kontroly oplatky

Čip

hloubka menší nebo rovná 0,3 mm a délce menší nebo rovná 0,5 mm max 2/ks; žádný v-čip

Pouhých očí nebo inspekčního systému oplatky

Mikro trhliny / otvory

Není povoleno

Systém kontroly oplatky

 

 

 

 

Populární Tagy: N-typ G1 monokrystalický křemík Specifikace destičky, Čína, dodavatelé, výrobci, továrna, vyrobené v Číně

Odeslat dotaz
Odeslat dotaz