Specifikace monokrystalického křemíkového křemíku Specifikace monokrystalického křemíku

Specifikace monokrystalického křemíkového křemíku Specifikace monokrystalického křemíku

Optimalizovaný pro vysoce účinné sluneční aplikace, monokrystalický křemíkový oplatk typu N-typu M6 má design pseudo-kvadrát 166 × 166 mm s vyššími vlastnostmi materiálu. Vyrábí se pomocí metody CZ s dopingem fosforu, přináší vynikající kvalitu krystalu s<100>orientace a nízká hustota defektů (menší nebo rovná 500 cm⁻²). Vola nabízí vodivost typu N s odolností 1,0-7,0 Ω · CM a větší než nebo rovna 1000 µs životnosti nosiče, což je ideální pro technologie TOPCON a heterojunkci. Jeho přesná geometrie (průměr φ223 mm, menší nebo roven 27 um TTV) a přísné standardy kvality povrchu zajišťují optimální výkon ve fotovoltaických modulech. Velikost M6 poskytuje perfektní rovnováhu mezi efektivitou buněk a výrobní produktivitou pro moderní solární produkční linky.
Share to
Odeslat dotaz
Chat teď
Popis
Technické parametry

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

Optimalizovaný pro vysoce účinné sluneční aplikace, monokrystalický křemíkový oplatk typu N-typu M6 má design pseudo-kvadrát 166 × 166 mm s vyššími vlastnostmi materiálu. Vyrábí se pomocí metody CZ s dopingem fosforu, přináší vynikající kvalitu krystalu s<100>orientace a nízká hustota defektů (menší nebo rovná 500 cm⁻²). Vola nabízí vodivost typu N s odolností 1,0-7,0 Ω · CM a větší než nebo rovna 1000 µs životnosti nosiče, což je ideální pro technologie TOPCON a heterojunkci. Jeho přesná geometrie (průměr φ223 mm, menší nebo roven 27 um TTV) a přísné standardy kvality povrchu zajišťují optimální výkon ve fotovoltaických modulech. Velikost M6 poskytuje perfektní rovnováhu mezi efektivitou buněk a výrobní produktivitou pro moderní solární produkční linky.

 

 

1. vlastnosti materiálu

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Metoda růstu

Cz

 

Krystalinita

Monokrystalický

Preferenční techniky leptání(ASTM F47-88)

Typ vodivosti

Typ n

NAPSON EC-80TPN

Dopant

Fosfor

-

Koncentrace kyslíku [oi]

Menší nebo rovné8E +17 AT/CM3

FTIR (ASTM F121-83)

Koncentrace uhlíku [CS]

Menší nebo rovné5e +16 AT/CM3

FTIR (ASTM F123-91)

Hustota leptání jámy (hustota dislokace)

Menší nebo rovné500 cm-2

Preferenční techniky leptání(ASTM F47-88)

Povrchová orientace

<100>± 3 stupeň

Rentgenová difrakční metoda (ASTM F26-1987)

Orientace pseudo čtvercových stran

<010>,<001>± 3 stupeň

Rentgenová difrakční metoda (ASTM F26-1987)

 

2. Elektrické vlastnosti

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Odpor

1,0-7,0 Ω.cm

Systém kontroly oplatky

MCLT (Menšinový dopravce Lifetime)

Větší nebo rovna 1000 µs
Sinton BCT-400
Přechodné
(S úrovní injekce: 5e14 cm-3)

 

3.Geometrie

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Geometrie

Pseudo Square

 
Tvar zkosení
kolo  

Délka strany oplatky

166 ± 0,25 mm

Systém kontroly oplatky

Průměr oplatky

φ223 ± 0,25 mm

Systém kontroly oplatky

Úhel mezi sousedními stranami

90 stupňů ± 0,2 stupňů

Systém kontroly oplatky

Tloušťka

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
Systém kontroly oplatky

TTV (celková změna tloušťky)

Menší nebo rovné 27 µm

Systém kontroly oplatky

 

N-Type M6 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Vlastnosti povrchu

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Metoda řezání

DW

--

Kvalita povrchu

Jak je řezané a vyčištěné, žádná viditelná kontaminace (olej nebo mastnota, otisky prstů, skvrny mýdla, skvrny z kaše, epoxidové/lepidlové skvrny nejsou povoleny)

Systém kontroly oplatky

SEKLA ZNAČKY / STESTY

Méně nebo rovné 15 um

Systém kontroly oplatky

Luk

Méně nebo rovné 40 µm

Systém kontroly oplatky

Warp

Méně nebo rovné 40 µm

Systém kontroly oplatky

Čip

hloubka menší nebo rovná 0,3 mm a délce menší nebo rovná 0,5 mm max 2/ks; žádný v-čip

Pouhých očí nebo inspekčního systému oplatky

Mikro trhliny / otvory

Není povoleno

Systém kontroly oplatky

 

 

 

 

Populární Tagy: N-typ M6 monokrystalický křemík Specifikace destičky, Čína, dodavatelé, výrobci, továrna, vyrobené v Číně

Odeslat dotaz
Odeslat dotaz