Specifikace monokrystalického křemíkového křemíku Specifikace monokrystalického křemíku

Specifikace monokrystalického křemíkového křemíku Specifikace monokrystalického křemíku

Monokrystalický křemíkový oplatk M12 M12 přijímá velký pseudo čtvercový formát 210 × 210 mm (průměr φ295 mm), což zvyšuje aktivní plochu a zvyšuje výkon vysoce účinných modulů PV. Pěstováno pomocí metody CZ a dopované s fosforem, má a<100>Povrchová orientace, nízká hustota dislokace (menší nebo rovná 500 cm⁻²) a vodivost typu N. S rozsahem odporu 1,0–7,0 Ω · cm a životnostmi menšinového nosiče větší než nebo rovna 1000 µs, je ideální pro pokročilé technologie solárních článků, jako jsou Topcon a HJT. Optimalizovaná geometrie a kvalita povrchu M12 Wafer zajišťuje vynikající výkon ve vysoce výkonných modulech nové generace.
Share to
Odeslat dotaz
Chat teď
Popis
Technické parametry

CZ silicon crystal growth

n-type-full-square-monocrystalline-solar47199107070 1

 

Monokrystalický křemíkový oplatk M12 M12 přijímá velký pseudo čtvercový formát 210 × 210 mm (průměr φ295 mm), což zvyšuje aktivní plochu a zvyšuje výkon vysoce účinných modulů PV. Pěstováno pomocí metody CZ a dopované s fosforem, má a<100>Povrchová orientace, nízká hustota dislokace (menší nebo rovná 500 cm⁻²) a vodivost typu N. S rozsahem odporu 1,0–7,0 Ω · cm a životnostmi menšinového nosiče větší než nebo rovna 1000 µs, je ideální pro pokročilé technologie solárních článků, jako jsou Topcon a HJT. Optimalizovaná geometrie a kvalita povrchu M12 Wafer zajišťuje vynikající výkon ve vysoce výkonných modulech nové generace.

 

 

1. vlastnosti materiálu

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Metoda růstu

Cz

 

Krystalinita

Monokrystalický

Preferenční techniky leptání(ASTM F47-88)

Typ vodivosti

Typ n

NAPSON EC-80TPN

Dopant

Fosfor

-

Koncentrace kyslíku [oi]

Menší nebo rovné8E +17 AT/CM3

FTIR (ASTM F121-83)

Koncentrace uhlíku [CS]

Menší nebo rovné5e +16 AT/CM3

FTIR (ASTM F123-91)

Hustota leptání jámy (hustota dislokace)

Menší nebo rovné500 cm-2

Preferenční techniky leptání(ASTM F47-88)

Povrchová orientace

<100>± 3 stupeň

Rentgenová difrakční metoda (ASTM F26-1987)

Orientace pseudo čtvercových stran

<010>,<001>± 3 stupeň

Rentgenová difrakční metoda (ASTM F26-1987)

 

2. Elektrické vlastnosti

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Odpor

1,0-7,0 Ω.cm

Systém kontroly oplatky

MCLT (Menšinový dopravce Lifetime)

Větší nebo rovna 1000 µs
Sinton BCT-400
Přechodné
(S úrovní injekce: 5e14 cm-3)

 

3.Geometrie

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Geometrie

Pseudo Square

 
Tvar zkosení
kolo  

Délka strany oplatky

210 ± 0,25 mm

Systém kontroly oplatky

Průměr oplatky

φ295 ± 0,25 mm

Systém kontroly oplatky

Úhel mezi sousedními stranami

90 stupňů ± 0,2 stupňů

Systém kontroly oplatky

Tloušťka

180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
Systém kontroly oplatky

TTV (celková změna tloušťky)

Menší nebo rovné 27 µm

Systém kontroly oplatky

 

N-Type M12 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Vlastnosti povrchu

 

Vlastnictví

Specifikace

Metoda inspekce

Metoda řezání

DW

--

Kvalita povrchu

Jak je řezané a vyčištěné, žádná viditelná kontaminace (olej nebo mastnota, otisky prstů, skvrny mýdla, skvrny z kaše, epoxidové/lepidlové skvrny nejsou povoleny)

Systém kontroly oplatky

SEKLA ZNAČKY / STESTY

Méně nebo rovné 15 um

Systém kontroly oplatky

Luk

Méně nebo rovné 40 µm

Systém kontroly oplatky

Warp

Méně nebo rovné 40 µm

Systém kontroly oplatky

Čip

hloubka menší nebo rovná 0,3 mm a délce menší nebo rovná 0,5 mm max 2/ks; žádný v-čip

Pouhých očí nebo inspekčního systému oplatky

Mikro trhliny / otvory

Není povoleno

Systém kontroly oplatky

 

 

 

 

Populární Tagy: N-typ M12 Specifikace monokrystalického křemíku, Čína, dodavatelé, výrobci, továrna, vyrobené v Číně

Odeslat dotaz
Odeslat dotaz